国家知识产权局信息显示，深圳市经纬开物仪器有限公司申请一项名为“MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备”的专利，公开号CN121078748A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备，所述MOSFET制造工艺包括对原始衬底进行离子注入，以在所述原始衬底中形成源极区域和漏极区域；在所述原始衬底的表面先形成隔离层，再在所述隔离层的上方形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行刻蚀和图案化，以形成栅极。本申请的主要目的是提供一种MOSFET制造工艺，旨在降低对SWA的精度和范围要求。
天眼查资料显示，深圳市经纬开物仪器有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市经纬开物仪器有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可163个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
广州股票配资公司提示：文章来自网络，不代表本站观点。
