
国家知识产权局信息显示,深圳市经纬开物仪器有限公司申请一项名为“MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备”的专利,公开号CN121078748A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种MOSFET制造工艺、场效应晶体管以及功率设备,所述MOSFET制造工艺包括对原始衬底进行离子注入,以在所述原始衬底中形成源极区域和漏极区域;在所述原始衬底的表面先形成隔离层,再在所述隔离层的上方形成多晶硅层;对所述多晶硅层进行刻蚀和图案化,以形成栅极。本申请的主要目的是提供一种MOSFET制造工艺,旨在降低对SWA的精度和范围要求。
天眼查资料显示,深圳市经纬开物仪器有限公司,成立于2023年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市经纬开物仪器有限公司参与招投标项目9次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息5条,此外企业还拥有行政许可163个。
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作者:情报员
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